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供应-FQP6N60 耐高压MOS管

价 格: 面议

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQP6N60 封装:TO220/铁封 极限电压:600(V) 极限电流:6.2(A) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型

Features
• 6.2A, 600V, RDS(on) = 1.5? @VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 20 nC)
• Low Crss ( typical 10 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability

封装:TO220/铁封

深圳市鑫达尔泰科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 王大乾
  • 电话:0755-29744956
  • 传真:0755-29744956
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供应 2N60L--耐高压MOS管

信息内容:

特色标志:厂家直销 品牌:UTC/AAT/FCS 型号:2N60L 封装:TO220 / SOT252/TO220F 极限电压:600/650(V) 极限电流:2(A) 用途:放大电流,稳压 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道2 Amps, 600/650 VoltsN-CHANNEL MOSFET FEATURES* RDS(ON) =5?@VGS= 10V* Ultra Low gate charge (typical 9.0nC)* Low reverse transfer capacitance (CRSS = typical 5.0 pF)* Fast switching capability* Avalanche energy specified* Improved dv/dt capability, high ruggedness封装:TO252/TO220/TO220F

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供应FQP3N60C--耐高压MOS管

信息内容:

特色标志:现货 品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQP3N60C 封装:TO220/TO220F 极限电压:600(V) 极限电流:3(A) 用途:放大电流,稳压 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型FQP3N60C600V N-Channel MOSFETFeatures• 3A, 600V, RDS(on) = 3.4? @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 10.5 nC)•Low Crss ( typical 5 pF)•Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability封装:TO220/TO220F

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