供应FQP3N60C--耐高压MOS管
| 价 格： | 面议 |
特色标志:现货 品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQP3N60C 封装:TO220/TO220F 极限电压:600（V） 极限电流:3（A） 用途:放大电流，稳压 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
FQP3N60C
600V N-Channel MOSFET
Features
• 3A, 600V, RDS(on) = 3.4? @VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 10.5 nC)
•Low Crss ( typical 5 pF)
•Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
封装：TO220/TO220F
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 王大乾
- 电话：0755-29744956
- 传真：0755-29744956
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供应FQP10N60CF 耐高压MOS管
信息内容：特色标志:厂家直销 品牌:FAIRCHILD 型号:FQP10N60CF 封装:TO220/TO220F 极限电压:600（V） 极限电流:9（A） 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型Features• 9A, 600V, RDS(on) = 0.8? @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 44 nC)• Low Crss ( typical 18 pF)•Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability
供应FQP4N60-耐高压MOS管
信息内容：特色标志:现货 品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQP4N60 封装:TO220/TO220F 极限电压:600（V） 极限电流:4.4（A） 用途:放大电流，稳压 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型FQP4N60600V N-Channel MOSFETFeatures• 4.4A, 600V, RDS(on) = 2.2? @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 15 nC)• Low Crss ( typical 8.0 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability封装：TO220/T220F
