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专营仙童场效应管 FQP6N90

价 格: 0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童
型号:FQP6N90
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:NF/音频(低频)
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:ALGaAS铝镓砷
开启电压:33(V)
夹断电压:33(V)
跨导:33(μS)
极间电容:33(pF)
低频噪声系数:33(dB)
漏极电流:33(mA)
耗散功率:33(mW)

制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  MOSFET 功率   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
晶体管极性:  N-Channel   
 
电阻汲极/源极 RDS(导通):  1.9 Ohms   
 
汲极/源极击穿电压:  900 V   
 
闸/源击穿电压:  /- 30 V   
 
漏极连续电流:  5.8 A   
 
功率耗散:  167 W   
 
工作温度:  150 C   
 
安装风格:  Through Hole   
 
封装 / 箱体:  TO-220   
 
封装:  Tube   
 
最小工作温度:  - 55 C  
 
Standard Pack Qty:  50  
 
零件号别名:  FQP6N90_NL  
  深圳宏诚辉电子商行 为新老客户提供配套服务 QQ 838205202

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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信息内容:

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专营仙童场效应管FDA50N50 请咨询

信息内容:

制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.105 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电压: 500 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: 48 A 功率耗散: 625000 mW 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3P 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 30

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