价 格: | 0.10 | |
品牌: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号: | FQP6N90 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | NF/音频(低频) | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
开启电压: | 33(V) | |
夹断电压: | 33(V) | |
跨导: | 33(μS) | |
极间电容: | 33(pF) | |
低频噪声系数: | 33(dB) | |
漏极电流: | 33(mA) | |
耗散功率: | 33(mW) |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通): 1.9 Ohms
汲极/源极击穿电压: 900 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏极连续电流: 5.8 A
功率耗散: 167 W
工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 50
零件号别名: FQP6N90_NL
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PHILIPS全新原装进口场效应管BT134-600D PJ 600D BT134 PHILIPS全新原装进口场效应管BT134-600D PJ 600D BT134 BT134-600D PJ 600D BT134产品规格 参数 PDF 制造商: NXP 产品种类: 双向可控硅 RoHS: 详细信息 额定重复关闭状态电压 VDRM: 600 V 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 4 A 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 0.1 mA 栅触发电压 (Vgt): 0.7 V 栅触发电流 (Igt): 5 mA 正向电压下降: 1.4 V 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-82 封装: Tube 工厂包装数量: 50 零件号别名: 933958480127 BT134-600D
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.105 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电压: 500 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: 48 A 功率耗散: 625000 mW 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3P 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 30