专营仙童场效应管FDA50N50 请咨询
| 价 格： | 0.10 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | FDA50N50 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 沟道类型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.105 Ohm @ 10 V
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
漏极连续电流: 48 A
功率耗散: 625000 mW
工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 30
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 陈义伟
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信息内容：【IR进口原装 MOS管 场效应管】 IRFBG30 IRFBG30PBF 【IR进口原装 MOS管 场效应管】 IRFBG30 IRFBG30PBF IRFBG30 IRFBG30PBF 产品规格 参数 Datasheets IRFBG30Packaging InformationProduct Photos TO-220ABStandard Package 1,000Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries -FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.1ARds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 1.9A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µAGate Charge (Qg) @ Vgs 80nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 980pF @ 25VPower - Max 125WMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3Supplier Device Package TO-220ABPackaging TubeOther Names *IRFBG30
P沟通场效应管 FQP4P25 仙童品牌MOS管
信息内容：dzsc/19/0095/19009526.jpg制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: P-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 2.1 Ohms 正向跨导 gFS（值/最小值） : 2.3 S 汲极/源极击穿电压: - 250 V 闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流: 4 A 功率耗散: 75 W 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AB 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 50
