P沟通场效应管 FQP4P25 仙童品牌MOS管
| 价 格： | 0.01 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FQP4P25 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: P-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 2.1 Ohms
正向跨导 gFS（值/最小值） : 2.3 S
汲极/源极击穿电压: - 250 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏极连续电流: 4 A
功率耗散: 75 W
工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 50
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
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全新进口场效应管 FQA38N30 【仙童优势供应】 现货
信息内容：全新进口场效应管 FQA38N30 【仙童优势供应】 全新进口场效应管 FQA38N30 【仙童优势供应】 FQA38N30产品规格 参数 数据列表 FQA38N30 产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing 产品变化通告 Product Discontinuation 14/Mar/2011 标准包装 30类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 QFET™FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 300V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 38.4A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 85 毫欧 @ 19.2A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 4400pF @ 25V 功率 - 290W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3 供应商设备封装 TO-3PN 包装 管件
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信息内容：IR场效应管 进口原装 IRF3415PBF IRF3415 IR场效应管 进口原装 IRF3415PBF IRF3415 IRF3415PBF IRF3415产品规格 参数 Datasheets IRF3415PbFProduct Photos TO-220AB PKGCatalog Drawings IR Hexfet TO-220ABStandard Package 50Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries HEXFET®FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 150VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 43ARds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 22A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µAGate Charge (Qg) @ Vgs 200nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 2400pF @ 25VPower - Max 200WMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3Supplier Device Package TO-220ABPackaging TubeCatalog Page 1297 (US2011 PDF)Other Names *IRF3415PBF
