价 格: | 10.00 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
型号/规格: | FQA38N30 | |
材料: | SENSEFET电流敏感 | |
用途: | MW/微波 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
沟道类型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 | |
种类: | 结型(JFET) | |
导电方式: | 增强型 |
全新进口场效应管 FQA38N30 【仙童优势供应】
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FQA38N30产品规格 参数
数据列表 FQA38N30
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告 Product Discontinuation 14/Mar/2011
标准包装 30
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 300V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 38.4A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 85 毫欧 @ 19.2A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 4400pF @ 25V
功率 - 290W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3
供应商设备封装 TO-3PN
包装 管件
IR场效应管 进口原装 IRF3415PBF IRF3415 IR场效应管 进口原装 IRF3415PBF IRF3415 IRF3415PBF IRF3415产品规格 参数 Datasheets IRF3415PbFProduct Photos TO-220AB PKGCatalog Drawings IR Hexfet TO-220ABStandard Package 50Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries HEXFET®FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 150VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 43ARds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 22A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µAGate Charge (Qg) @ Vgs 200nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 2400pF @ 25VPower - Max 200WMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3Supplier Device Package TO-220ABPackaging TubeCatalog Page 1297 (US2011 PDF)Other Names *IRF3415PBF
NIEC新电源全新原装场效应管系列 FCU20UC20 NIEC新电源全新原装场效应管系列 FCU20UC20 我们的公司:深圳市福田区宏诚辉电子商行代理、分销进口原装世界知名品牌单片机、集成电路IC、二三极管、电阻电容和模块,主要产品有:ATMEL、NXP/PHI、ST、TI、ON、AD、INTERSIL、TOREX、SAMSUN、NS、国巨、厚声等品牌,并有一定渠道订购偏冷门和停产IC。我司还与一些代理商建立了良好的合作关系,在国内也有不少国内工厂的支持,因此我司接受批量订购,价格优惠。我们的优势:我们的优势,除了能为客户向工厂提供订货的服务外,本司在光耦、模块、74系列、MAX、AT等产品上货源充足,价格有一定优势。我们的价值观:成就客户—我们致力于每位客户的满意和成功。诚信正直—我们秉持信任、诚实和富有责任感,无论是对内部还是外部。达成双赢—我们除了尽量满足客户的需求,更主要的是达到双赢,为客户的利益着想,达到共同发展。我们的诚信:深圳宏诚辉电子商行实力雄厚,重信用、守合同、保证产品质量,以多品种经营特色和薄利多销的原则,赢得了广大客户的信任。