【IR进口原装 MOS管 场效应管】 IRFBG30 IRFBG30PBF低价促销
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | VISHAY=IR | |
| 型号/规格： | IRFBG30 IRFBG30PBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MW/微波 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | SIT静电感应 |
【IR进口原装 MOS管 场效应管】 IRFBG30 IRFBG30PBF
【IR进口原装 MOS管 场效应管】 IRFBG30 IRFBG30PBF
IRFBG30 IRFBG30PBF 产品规格 参数
Datasheets IRFBG30
Packaging Information
Product Photos TO-220AB
Standard Package 1,000
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series -
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 980pF @ 25V
Power - Max 125W
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Other Names *IRFBG30
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
- 电话：
- 传真：
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P沟通场效应管 FQP4P25 仙童品牌MOS管
信息内容：dzsc/19/0095/19009526.jpg制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: P-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 2.1 Ohms 正向跨导 gFS（值/最小值） : 2.3 S 汲极/源极击穿电压: - 250 V 闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流: 4 A 功率耗散: 75 W 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AB 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 50
全新进口场效应管 FQA38N30 【仙童优势供应】 现货
信息内容：全新进口场效应管 FQA38N30 【仙童优势供应】 全新进口场效应管 FQA38N30 【仙童优势供应】 FQA38N30产品规格 参数 数据列表 FQA38N30 产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing 产品变化通告 Product Discontinuation 14/Mar/2011 标准包装 30类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 QFET™FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 300V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 38.4A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 85 毫欧 @ 19.2A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 4400pF @ 25V 功率 - 290W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3 供应商设备封装 TO-3PN 包装 管件
