PHILIPS全新原装进口场效应管BT134-600D PJ 600D BT134 现货
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | PHILIPS/飞利浦 | |
| 型号： | BT134-600D PJ 600D BT134 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GaAS-FET砷化镓 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
PHILIPS全新原装进口场效应管BT134-600D PJ 600D BT134
PHILIPS全新原装进口场效应管BT134-600D PJ 600D BT134
BT134-600D PJ 600D BT134产品规格 参数 PDF
制造商: NXP
产品种类: 双向可控硅
RoHS: 详细信息
额定重复关闭状态电压 VDRM: 600 V
开启状态 RMS 电流 (It RMS): 4 A
关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 0.1 mA
栅触发电压 (Vgt): 0.7 V
栅触发电流 (Igt): 5 mA
正向电压下降: 1.4 V
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-82
封装: Tube
工厂包装数量: 50
零件号别名: 933958480127 BT134-600D
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
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专营仙童场效应管FDA50N50 请咨询
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.105 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电压: 500 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: 48 A 功率耗散: 625000 mW 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3P 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 30
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信息内容：【IR进口原装 MOS管 场效应管】 IRFBG30 IRFBG30PBF 【IR进口原装 MOS管 场效应管】 IRFBG30 IRFBG30PBF IRFBG30 IRFBG30PBF 产品规格 参数 Datasheets IRFBG30Packaging InformationProduct Photos TO-220ABStandard Package 1,000Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries -FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.1ARds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 1.9A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µAGate Charge (Qg) @ Vgs 80nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 980pF @ 25VPower - Max 125WMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3Supplier Device Package TO-220ABPackaging TubeOther Names *IRFBG30
