INFINEON全新场效应管/散新管IKW20N60T K20T60
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号： | IKW20N60T K20T60 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
INFINEON全新场效应管/散新管IKW20N60T K20T60
INFINEON全新场效应管/散新管IKW20N60T K20T60
IKW20N60T K20T60产品规格 参数 PDF
Datasheets IKW20N60T
Product Photos TO-247 Pkg
Standard Package 240
Category Discrete Semiconductor Products
Family IGBTs - Single
Series TrenchStop™
IGBT Type Trench and Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 20A
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Power - Max 166W
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-247-3
Supplier Device Package PG-TO247-3
Packaging Tube
Other Names SP000054886
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
- 电话：
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专营仙童场效应管 FQP6N90
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.9 Ohms 汲极/源极击穿电压: 900 V 闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流: 5.8 A 功率耗散: 167 W 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 50 零件号别名: FQP6N90_NL 深圳宏诚辉电子商行 为新老客户提供配套服务 QQ 838205202
PHILIPS全新原装进口场效应管BT134-600D PJ 600D BT134 现货
信息内容：PHILIPS全新原装进口场效应管BT134-600D PJ 600D BT134 PHILIPS全新原装进口场效应管BT134-600D PJ 600D BT134 BT134-600D PJ 600D BT134产品规格 参数 PDF 制造商: NXP 产品种类: 双向可控硅 RoHS: 详细信息 额定重复关闭状态电压 VDRM: 600 V 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 4 A 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 0.1 mA 栅触发电压 (Vgt): 0.7 V 栅触发电流 (Igt): 5 mA 正向电压下降: 1.4 V 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-82 封装: Tube 工厂包装数量: 50 零件号别名: 933958480127 BT134-600D
