价 格: | 0.10 | |
品牌/商标: | TOSHIBA/东芝 | |
型号/规格: | 2SK3564 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 1(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
部件型号 | 2SK3564 | |
极性 | N沟 | |
漏源电压VDSS | 900 V | |
漏电流ID | 3 A | |
漏功耗PD | 40 W | |
门电荷总数Qg(nC) (标准) | 17 | |
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 4.3 Ω | |
封装 | TO-220SIS | |
产品分类 | 功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) | |
装配基础 | 日本, 马来西亚 | |
RoHS Compatible Product(s) (#) |
部件型号2SK170 极性N沟 门-漏极电压VGDS-40 V 门电流IG10 mA 漏极电流IDSS, max20 mA 漏极电流IDSS, min2.6 mA 封装TO-92 管脚数3 表面安装型N 互补产品2SJ74 备注低噪声 产品分类结型FET(引线型) RoHS Compatible Product(s) (#)Available
我司是东芝正规代理商,所有产品均为原厂原装进口,如发现假冒猥劣产品我们接受退货 部件型号2SK3878 极性N沟 漏源电压VDSS900 V 漏电流ID9 A 漏功耗PD150 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)60 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V1.3 Ω 封装TO-3P(N) 管脚数3 产品分类功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) 装配基础日本, 泰国