东芝代理,原装进口现货,2SK3878
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌： | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号： | 2SK3878 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | VHF/甚高频 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 低频跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
我司是东芝正规代理商,所有产品均为原厂原装进口,如发现假冒猥劣产品我们接受退货
| 部件型号 | 2SK3878 | |
| 极性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 900 V | |
| 漏电流ID | 9 A | |
| 漏功耗PD | 150 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 60 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 1.3 Ω | |
| 封装 | TO-3P(N) | |
| 管脚数 | 3 | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) | |
| 装配基础 | 日本, 泰国 |
上海琼创电子科技有限公司
公司信息未核实
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