价 格: | 0.10 | |
品牌: | TOSHIBA/东芝 | |
型号: | TK10A60 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 1(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
部件型号 | TK10A60D | |
极性 | N沟 | |
漏源电压VDSS | 600 V | |
漏电流ID | 10 A | |
漏功耗PD | 45 W | |
门电荷总数Qg(nC) (标准) | 25 | |
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 0.75 Ω | |
封装 | TO-220SIS | |
管脚数 | 3 | |
表面安装型 | N | |
产品分类 | 功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) | |
装配基础 | 日本, 马来西亚 | |
原装现货
我司是东芝正规授权代理商,所以产品均为东芝原厂原装产品,如发现假冒猥劣产品我们接受退货 部件型号2SK4111 极性N沟 漏源电压VDSS600 V 漏电流ID10 A 漏功耗PD45 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)42 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.75 Ω 封装TO-220NIS 管脚数3 产品分类功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) 装配基础日本, 泰国
部件型号2SK4037 极性N沟 用途FRS/GMRS(470MHz) 漏源电压VDSS@Tc=25°C12 V 泄漏电流ID@Tc=25°C3 A 功耗PD@Tc=25°C, max20 W 输出功率PO(最小)36.5dBmWVDD=6.0V, f=470MHz, Pi=25dBmW, Tc=25℃封装PW-X 管脚数3 表面安装型Y 产品分类RF功率MOSFET