价 格: | 0.01 | |
品牌/商标: | TOSHIBA/东芝 | |
型号/规格: | 2SK170 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
开启电压: | 1(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
部件型号 | 2SK170 | |
极性 | N沟 | |
门-漏极电压VGDS | -40 V | |
门电流IG | 10 mA | |
漏极电流IDSS, max | 20 mA | |
漏极电流IDSS, min | 2.6 mA | |
封装 | TO-92 | |
管脚数 | 3 | |
表面安装型 | N | |
互补产品 | 2SJ74 | |
备注 | 低噪声 | |
产品分类 | 结型FET(引线型) | |
RoHS Compatible Product(s) (#) | Available |
我司是东芝正规代理商,所有产品均为原厂原装进口,如发现假冒猥劣产品我们接受退货 部件型号2SK3878 极性N沟 漏源电压VDSS900 V 漏电流ID9 A 漏功耗PD150 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)60 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V1.3 Ω 封装TO-3P(N) 管脚数3 产品分类功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) 装配基础日本, 泰国
部件型号TK10A60D 极性N沟 漏源电压VDSS600 V 漏电流ID10 A 漏功耗PD45 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)25 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.75 Ω 封装TO-220SIS 管脚数3 表面安装型N 产品分类功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) 装配基础日本, 马来西亚 原装现货