N沟MOSF管IRF540NS
| 价 格： | 7.20 | |
| 品牌/商标： | 其他 | |
| 型号/规格： | IRF540NS | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | CC/恒流 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 100（V） | |
| 夹断电压： | 100（V） | |
| 极间电容： | 1960（pF） | |
| 漏极电流： | 330（mA） | |
| 耗散功率： | 1300（mW） |
| IRF540N(S,L)PbF |
| D2PAK Pkg |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 44 毫欧 @ 16A, 10V |
| 100V |
| 4V @ 250µA |
| 71nC @ 10V |
| 33A |
| 1960pF @ 25V |
| 130W |
| 表面贴装 |
| D²Pak，TO-263（2 引线 接片） |
| 管件 |
| *IRF540NSPBF |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRF7303
信息内容：数据列表IRF7303PbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭FET - 阵列系列HEXFET®FET 型2 个 N 沟道（双）FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 2.4A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.9AId 时的 Vgs(th)（）1V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)520pF @ 25V功率 - 2W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）供应商设备封装8-SO包装带卷 (TR)"
N沟MOSF管IRFL4310
信息内容：SOT-223, N沟MOS数据列表IRFL4310PbF产品相片IRFL4310TRPBF产品目录绘图IRFL(L) Series Top标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 1.6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.6A在 Vds 时的输入电容(Ciss)330pF @ 25V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳SOT-223（3 引线 接片），SC-73，TO-261AA包装带卷 (TR)产品目录页面1377 (CN091-10 PDF)其它名称IRFL4310TRPBF-NDIRFL4310TRPBFTRFETdzsc/19/0047/19004726.jpg
