N沟MOSF管IRF7303
| 价 格： | 3.00 | |
| 品牌/商标： | 其他 | |
| 型号/规格： | IRF7303 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 30（V） | |
| 夹断电压： | 0（V） | |
| 跨导： | 0（μS） | |
| 极间电容： | 0（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0（dB） | |
| 漏极电流： | 0（mA） | |
| 耗散功率： | 0（mW） |
| IRF7303PbF |
| 8-SOIC |
| IR Hexfet 8-SOIC |
| 4,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 阵列 |
| HEXFET® |
| 2 个 N 沟道（双） |
| 标准型 |
| 50 毫欧 @ 2.4A, 10V |
| 30V |
| 4.9A |
| 1V @ 250µA |
| 25nC @ 10V |
| 520pF @ 25V |
| 2W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 8-SO |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRFL4310
信息内容：SOT-223, N沟MOS数据列表IRFL4310PbF产品相片IRFL4310TRPBF产品目录绘图IRFL(L) Series Top标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 1.6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.6A在 Vds 时的输入电容(Ciss)330pF @ 25V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳SOT-223（3 引线 接片），SC-73，TO-261AA包装带卷 (TR)产品目录页面1377 (CN091-10 PDF)其它名称IRFL4310TRPBF-NDIRFL4310TRPBFTRFETdzsc/19/0047/19004726.jpg
肖特基二极管SK310
信息内容：产品相片DO-214AC SMA UNIDIRECT产品培训模块Diode Handling and Mounting产品目录绘图MCC Diode DO-214AC Pkg标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭单二极管/整流器系列-电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（）850mV @ 3A电压 - (Vr)（）100V电流 - 平均整流 (Io)3A电流 - 在 Vr 时反向漏电500µA @ 100V二极管型肖特基速度快速恢复 =< 500 ns，> 200mA (Io)反向恢复时间(trr)-电容@ Vr, F-安装类型表面贴装封装/外壳DO-214AC, SMA供应商设备封装SMA包装带卷 (TR)
