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N沟MOSF管IRFL4310

价 格: 3.00
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFL4310
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:CC/恒流
封装外形:CHIP/小型片状
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:100(V)
夹断电压:4(V)
极间电容:330(pF)
漏极电流:1600(mA)
耗散功率:10000(mW)

SOT-223, N沟MOS

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装产品目录页面其它名称
IRFL4310PbF
IRFL4310TRPBF
IRFL(L) Series Top
2,500
分离式半导体产品
MOSFET,GaNFET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
200 毫欧 @ 1.6A, 10V
100V
4V @ 250µA
25nC @ 10V
1.6A
330pF @ 25V
1W
表面贴装
SOT-223(3 引线 接片),SC-73,TO-261AA
带卷 (TR)
1377 (CN091-10 PDF)
IRFL4310TRPBF-ND
IRFL4310TRPBFTR

FETdzsc/19/0047/19004726.jpg

深圳市金广顺科技有限公司
公司信息未核实
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N沟MOSF管IRF3415S.TO-263

信息内容:

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRF3415S(LPbF)产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR Hexfet D2PAK标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C42 毫欧 @ 22A, 10V漏极至源极电压(Vdss)150V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C43AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs200nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2400pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB包装带卷 (TR)

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