价 格: | 3.00 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFL4310 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | CC/恒流 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 100(V) | |
夹断电压: | 4(V) | |
极间电容: | 330(pF) | |
漏极电流: | 1600(mA) | |
耗散功率: | 10000(mW) |
SOT-223, N沟MOS
IRFL4310PbF |
IRFL4310TRPBF |
IRFL(L) Series Top |
2,500 |
分离式半导体产品 |
MOSFET,GaNFET - 单 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
200 毫欧 @ 1.6A, 10V |
100V |
4V @ 250µA |
25nC @ 10V |
1.6A |
330pF @ 25V |
1W |
表面贴装 |
SOT-223(3 引线 接片),SC-73,TO-261AA |
带卷 (TR) |
1377 (CN091-10 PDF) |
IRFL4310TRPBF-ND IRFL4310TRPBFTR |
FETdzsc/19/0047/19004726.jpg
产品相片DO-214AC SMA UNIDIRECT产品培训模块Diode Handling and Mounting产品目录绘图MCC Diode DO-214AC Pkg标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭单二极管/整流器系列-电压 - 在 If 时为正向 (Vf)()850mV @ 3A电压 - (Vr)()100V电流 - 平均整流 (Io)3A电流 - 在 Vr 时反向漏电500µA @ 100V二极管型肖特基速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA (Io)反向恢复时间(trr)-电容@ Vr, F-安装类型表面贴装封装/外壳DO-214AC, SMA供应商设备封装SMA包装带卷 (TR)
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRF3415S(LPbF)产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR Hexfet D2PAK标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C42 毫欧 @ 22A, 10V漏极至源极电压(Vdss)150V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C43AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs200nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2400pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB包装带卷 (TR)