供应 场效应管 2SK4012,K4012
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK4012 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
产品型号:2SK4012
封装:TO-220F
标记:K4012
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):13
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.4 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):2400 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：8.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):1170
导通延迟时间Td(on)(ns):70 typ.
上升时间Tr(ns):25 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):95 typ.
下降时间Tf(ns):10 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,13A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 2SK3935,2SK4012,K3935,K4012
信息内容：产品型号:2SK3935 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.25 漏极电流Id(on)(A):17 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150 描述:450V,17A 功率MOSFET 产品型号:2SK4012 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.4 漏极电流Id(on)(A):13 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150 描述:500V 13A 功率MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 TK3A65D,TK3A65DA,K3A65D,K3A65DA
信息内容：产品型号:TK3A65D 封装:TO-220F 标记:K3A65D 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):3 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.25 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.4 功率PD(W):35 输入电容Ciss(PF):540 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：2.2 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):234 导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ. 上升时间Tr(ns):18 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):55 typ. 下降时间Tf(ns):8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:650V,3A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications
