供应 场效应管 TK3A65D,TK3A65DA,K3A65D,K3A65DA
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK3A65D | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
产品型号:TK3A65D
封装:TO-220F
标记:K3A65D
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):3
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.25 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.4
功率PD(W):35
输入电容Ciss(PF):540 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：2.2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):234
导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.
上升时间Tr(ns):18 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):55 typ.
下降时间Tf(ns):8 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:650V,3A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK12A50D,K12A50D,TK12A50DR
信息内容：产品型号:TK12A50D 封装:TO-220F 标记:K12A50D 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):12 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.52 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):1350 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):364 导通延迟时间Td(on)(ns):55 typ. 上升时间Tr(ns):22 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ. 下降时间Tf(ns):15 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,12A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 TK13A60D,K13A60D,TK13A60DR
信息内容：产品型号:TK13A60D 封装:TO-220F 标记:K13A60D 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):13 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.43 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):2300 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：6.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):511 导通延迟时间Td(on)(ns):100 typ. 上升时间Tr(ns):50 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):140 typ. 下降时间Tf(ns):25 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,13A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications
