价 格: | 5.00 | |
品牌/商标: | 其他 | |
型号/规格: | IRF3415S | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 150(V) | |
夹断电压: | 10(V) | |
跨导: | 0(μS) | |
极间电容: | 0(pF) | |
低频噪声系数: | 0(dB) | |
漏极电流: | 0(mA) | |
耗散功率: | 0(mW) |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
IRF3415S(LPbF) |
D2PAK, TO-263 |
IR Hexfet D2PAK |
800 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
42 毫欧 @ 22A, 10V |
150V |
43A |
4V @ 250µA |
200nC @ 10V |
2400pF @ 25V |
3.8W |
表面贴装 |
TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB |
带卷 (TR) |
NASchottky Rectifiers 1.0 Amp 20 Volt数据列表SK12 - SK110产品相片SK110-TP产品培训模块Diode Handling and Mounting产品目录绘图S, SK Series DO-214AA标准包装1类别分离式半导体产品家庭单二极管/整流器系列-电压 - 在 If 时为正向 (Vf)()850mV @ 1A电压 - (Vr)()100V电流 - 平均整流 (Io)1A电流 - 在 Vr 时反向漏电500µA @ 100V二极管型肖特基速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA (Io)反向恢复时间(trr)-电容@ Vr, F-安装类型表面贴装封装/外壳DO-214AA, SMB供应商设备封装DO-214AA包装剪切带 (CT)
数据列表BAV19WS - BAV21WS产品相片31-SOD-323产品变化通告Encapsulate Change 29/Aug/2008产品目录绘图SOD-323 Side 1SOD-323 Side 2SOD-323 Top标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭单二极管/整流器系列-电压 - 在 If 时为正向 (Vf)()1.25V @ 200mA电压 - (Vr)()200V电流 - 平均整流 (Io)200mA电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 200V二极管型标准速度小信号 =< 200mA (Io),任意速度反向恢复时间(trr)50ns电容@ Vr, F5pF @ 0V, 1MHz安装类型表面贴装封装/外壳SOD-323