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N沟MOSF管IRF3415S.TO-263

价 格: 5.00
品牌/商标:其他
型号/规格:IRF3415S
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:150(V)
夹断电压:10(V)
跨导:0(μS)
极间电容:0(pF)
低频噪声系数:0(dB)
漏极电流:0(mA)
耗散功率:0(mW)

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装
IRF3415S(LPbF)
D2PAK, TO-263
IR Hexfet D2PAK
800
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
42 毫欧 @ 22A, 10V
150V
43A
4V @ 250µA
200nC @ 10V
2400pF @ 25V
3.8W
表面贴装
TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB
带卷 (TR)

深圳市金广顺科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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