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长期供应ST原装MOS——STN1NK80Z

价 格: 面议
品牌/商标:ST/意法
型号/规格:STN1NK80Z
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:SMD(SO)/表面封装
开启电压:4.5(V)
跨导:800(μS)
极间电容:160(pF)
漏极电流:250(mA)
耗散功率:2500(mW)

• VDS=800V 

• ID=0.25A

• 导通电阻:R<16Ω

• 总耗散功率:2.5W

• 工作温度范围:-55 ~ 150°C

 

 

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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  • 电话:021-39121306/39121309
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信息内容:

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)Switching Regulator Applications 封装形式:TO-220F存储温度范围:-55 ~ 150°C导通电阻RDS (ON):0.75ΩSVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)电压, Vds :600V表面安装器件:通孔安装"

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信息内容:

• VDS = 500V• ID = 4.5A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 1.55Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围:-55 ~ 150°C• 功率损耗:27W

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