价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STN1NK80Z | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
开启电压: | 4.5(V) | |
跨导: | 800(μS) | |
极间电容: | 160(pF) | |
漏极电流: | 250(mA) | |
耗散功率: | 2500(mW) |
• VDS=800V
• ID=0.25A
• 导通电阻:R<16Ω
• 总耗散功率:2.5W
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)Switching Regulator Applications 封装形式:TO-220F存储温度范围:-55 ~ 150°C导通电阻RDS (ON):0.75ΩSVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)电压, Vds :600V表面安装器件:通孔安装"
• VDS = 500V• ID = 4.5A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 1.55Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围:-55 ~ 150°C• 功率损耗:27W