价 格: | 2.65 | |
品牌/商标: | TOSHIBA/东芝 | |
型号/规格: | 2SK3569 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)
Switching Regulator Applications
封装形式:TO-220F
存储温度范围:-55 ~ 150°C
导通电阻RDS (ON):0.75Ω
SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
电压, Vds :600V
表面安装器件:通孔安装
"• VDS = 500V• ID = 4.5A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 1.55Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围:-55 ~ 150°C• 功率损耗:27W
600V N-Channel MOSFET•封装类型:TO-220•开启延迟时间:16ns•关断延迟时间:36ns•耗散功率:50W•工作温度范围:-55 ~ 150°C•开态电阻RDS(on):1.0Ω SuperFETTM这种先进的技术已被定制,以尽量减少传导损耗,提供出色的开关性能,经受住极端的dv/dt的速度和更高的雪崩能量。因此,非常适合的SuperFET各种AC/ DC交换系统在小型化和高效率的运作模式功率转换