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供应仙童原装FCP4N60

价 格: 面议
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
型号/规格:FCP4N60
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:V-FET/V型槽MOS
材料:MES金属半导体
跨导:3200(μS)
极间电容:415(pF)
漏极电流:3900(mA)
耗散功率:50000(mW)

 600V N-Channel MOSFET

•封装类型:TO-220

•开启延迟时间:16ns

•关断延迟时间:36ns

•耗散功率:50W

•工作温度范围:-55 ~ 150°C

•开态电阻RDS(on):1.0Ω

 

SuperFETTM这种先进的技术已被定制,以尽量减少传导损耗提供出色的开关性能,经受住极端的dv/dt的速度和更高的雪崩能量。因此非常适合的SuperFET各种AC/ DC交换系统小型化效率的运作模式功率转换

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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信息内容:

•封装类型:TO-220F •VDS=650V •ID= 10A @ VGS = 10V •RDS(ON)≤ 1.0Ω @ VGS = 10V •耗散功率:47.7W •工作温度范围:-55 ~ 150°C

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Single N-channel Trench MOSFET 100V, 35A •封装类型:TO-252 •工作温度范围:-40 ~ 85°C "

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