价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号/规格: | FCP4N60 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
材料: | MES金属半导体 | |
跨导: | 3200(μS) | |
极间电容: | 415(pF) | |
漏极电流: | 3900(mA) | |
耗散功率: | 50000(mW) |
600V N-Channel MOSFET
•封装类型:TO-220
•开启延迟时间:16ns
•关断延迟时间:36ns
•耗散功率:50W
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•开态电阻RDS(on):1.0Ω
SuperFETTM这种先进的技术已被定制,以尽量减少传导损耗,提供出色的开关性能,经受住极端的dv/dt的速度和更高的雪崩能量。因此,非常适合的SuperFET各种AC/ DC交换系统在小型化和高效率的运作模式功率转换
•封装类型:TO-220F •VDS=650V •ID= 10A @ VGS = 10V •RDS(ON)≤ 1.0Ω @ VGS = 10V •耗散功率:47.7W •工作温度范围:-55 ~ 150°C
Single N-channel Trench MOSFET 100V, 35A •封装类型:TO-252 •工作温度范围:-40 ~ 85°C "