价 格: | 3.40 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDF10N65BTH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 4(V) | |
跨导: | 10600(μS) | |
极间电容: | 1202(pF) | |
漏极电流: | 10000(mA) | |
耗散功率: | 47700(mW) |
•封装类型:TO-220F
•VDS=650V
•ID= 10A @ VGS = 10V
•RDS(ON)≤ 1.0Ω @ VGS = 10V
•耗散功率:47.7W
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
Single N-channel Trench MOSFET 100V, 35A •封装类型:TO-252 •工作温度范围:-40 ~ 85°C "
•工作温度范围:- 40 to 175°C•耗散功率:125W@ TC = 25°C; 54W@ T = 110°C