供应 美格拉（纳）MOS管—MDD1901RH 原装 贴片
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | MagnaChip(美格纳半导体) | |
| 型号/规格： | MDD1901RH | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | V-FET/V型槽MOS | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 标准（V） | |
| 跨导： | 标准（μS） | |
| 极间电容： | 标准（pF） | |
| 漏极电流： | 35000（mA） | |
| 耗散功率： | 标准（mW） |
Single N-channel Trench MOSFET 100V, 35A
•封装类型：TO-252
•工作温度范围：-40 ~ 85°C
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上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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信息内容：Brand: MagnaChipParts: MDF7N60THPackage: TO-220FTransistor Polarity:N-ChannelFeatures:7.0A, 600V, RDS(on)≤1.15W@VGS= 10V•开启延迟时间： 22ns•关断延迟时间: 35ns•结温范围： -55~150°C Applications:Power supply, PFC, High current and High Speed Switching
