价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDF5N50FTH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 4.5(V) | |
跨导: | 3300(μS) | |
极间电容: | 650(pF) | |
漏极电流: | 4500(mA) | |
耗散功率: | 27000(mW) |
• VDS = 500V
• ID = 4.5A @ VGS = 10V
• RDS(ON) ≤ 1.55Ω @ VGS = 10V
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
• 功率损耗:27W
600V N-Channel MOSFET•封装类型:TO-220•开启延迟时间:16ns•关断延迟时间:36ns•耗散功率:50W•工作温度范围:-55 ~ 150°C•开态电阻RDS(on):1.0Ω SuperFETTM这种先进的技术已被定制,以尽量减少传导损耗,提供出色的开关性能,经受住极端的dv/dt的速度和更高的雪崩能量。因此,非常适合的SuperFET各种AC/ DC交换系统在小型化和高效率的运作模式功率转换
•封装类型:TO-220F •VDS=650V •ID= 10A @ VGS = 10V •RDS(ON)≤ 1.0Ω @ VGS = 10V •耗散功率:47.7W •工作温度范围:-55 ~ 150°C