场效应管 IRFS17N20D IRFS17N20 DTRR
| 价 格： | 面议 | |
| 漏极电流： | 16A | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | IRFS17N20DTRR,MOS,200V,16A,0.17Ω,263 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 夹断电压： | 30 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 极间电容： | 1100 |
产品型号:IRFS17N20DTRR
封装:SOT-263
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):16
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.17 @VGS =10 V
开启电压VGS(TH)(V):5.5
功率PD(W):140
极间电容Ciss(PF):1100
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(ms)：5.3
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):240
温度(℃): -55 ~175
描述:200V,16A N-Channel 功率MOSFET
如需了解更多的产品信息:
1、直接与我司工作人员联系!
2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com
3、TEL:4006262666
4、Q Q:4006262666
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方卫贤
- 电话：0755-82814431
- 传真：0755-82814431
- 手机：
- QQ ：
场效应管 TK12A55D,K12A55D,TK12A55
信息内容：产品型号:TK12A55D封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):12源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.57 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):45极间电容Ciss(PF):1550通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：6单脉冲雪崩能量EAS(mJ):317温度(℃): -55 ~150描述:550V,12A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 BUK108-50DL BUK108-50
信息内容：产品型号:BUK108-50DL封装:SOT-263/D2PAK源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):50夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):13.5源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.125 @VGS = 5 V开启电压VGS(TH)(V):2功率PD(W):40极间电容Ciss(PF):通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：9单脉冲雪崩能量EAS(mJ):200温度(℃): -55 ~150描述:50V,13.5A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
