场效应管 TK12A55D,K12A55D,TK12A55
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | TK12A55D,TO-220F,DIP/MOS,N场,550V,12A,0.57Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:TK12A55D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):12
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.57 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):45
极间电容Ciss(PF):1550
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):317
温度(℃): -55 ~150
描述:550V,12A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)
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场效应管 BUK108-50DL BUK108-50
信息内容：产品型号:BUK108-50DL封装:SOT-263/D2PAK源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):50夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):13.5源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.125 @VGS = 5 V开启电压VGS(TH)(V):2功率PD(W):40极间电容Ciss(PF):通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：9单脉冲雪崩能量EAS(mJ):200温度(℃): -55 ~150描述:50V,13.5A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
代理KIA场效应管 KIA16N50HF,KIA16N50
信息内容：产品型号:KIA16N50HF封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500夹断电压VGS(V): 30/-30漏极电流Id(A):11.3源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.32 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):5功率PD(W):110极间电容Ciss(PF):2300通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：单脉冲雪崩能量EAS(mJ):980温度(℃): -55 ~150描述:500V,11.3A N-Channel MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
