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代理KIA场效应管 KIA16N50HF,KIA16N50

价 格: 面议
漏极电流:16A
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
型号/规格:KIA16N50HF,MOS,500V,16A,220F
材料:N-FET硅N沟道
品牌/商标:INFINEON/英飞凌
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
夹断电压:30
导电方式:增强型
极间电容:1600 , 2400

产品型号:KIA16N50HF

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V): 30/-30

漏极电流Id(A):11.3

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.32 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):110

极间电容Ciss(PF):2300

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):980

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,11.3A  N-Channel MOSFET

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深圳市金城微零件有限公司
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信息内容:

<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系,以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您!全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话infineon MOSFET场效应管系列:IPP03N03LBG 10000 TO-220 07NPB infineon DIP/MOS N场 80A 25V03N03LB 10000 TO-220 07NPB infineon DIP/MOS N场 80A 25VIPP05N03LBG 20000 TO-220 08 infineon DIP/MOS N场 80A 30V05N03LB 20000 TO-220 08 infineon DIP/MOS N场 80A 30VIPP055N03LG 40000 TO-220 07NPB infineon DIP/MOS N场 50A 30V055N03L 40000 TO-220 07NPB infineon DIP/MOS N场 50A 30VIPP070N06LG 100000 TO-220 07NPB infineon DIP/MOS N场 80A 60V070N06L 100000 TO-220 07NPB infineon DIP/MOS N场 80A 60VIPP080N03LG 10000 TO-220 08 infineon DIP/MOS N场 50A 30V080N03L 10000 TO-220 08 infineon DIP/MOS N场 50A 30VIPP147N03LG 30000 TO-220 09NPB infineon DIP/MOS N场 20A 30V147N03L 30000 TO-220 09NPB infineon DIP/MOS N场 20A 30VSPP80N03S2L-03 5000 TO-220 07NPB infineon DIP/MOS N场 80A 30V2N03L03 5000 TO-220 07NPB infineon DIP/MOS N场 80A 30VSPP80N03S2-0...

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