场效应管 BUK108-50DL BUK108-50
| 价 格： | 面议 | |
| 漏极电流： | 13.5A | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 耗散功率： | 40W | |
| 跨导： | 9S | |
| 型号/规格： | BUK108-50DL,MOS,50V,13.5A,0.125Ω,263 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | PHILIPS/飞利浦 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:BUK108-50DL
封装:SOT-263/D2PAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):50
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):13.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.125 @VGS = 5 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):40
极间电容Ciss(PF):
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：9
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):200
温度(℃): -55 ~150
描述:50V,13.5A N-Channel 功率MOSFET
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代理KIA场效应管 KIA16N50HF,KIA16N50
信息内容：产品型号:KIA16N50HF封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500夹断电压VGS(V): 30/-30漏极电流Id(A):11.3源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.32 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):5功率PD(W):110极间电容Ciss(PF):2300通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：单脉冲雪崩能量EAS(mJ):980温度(℃): -55 ~150描述:500V,11.3A N-Channel MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 IPP04N03LBG 04N03LBG
信息内容：dzsc/18/8774/18877462.jpgIPP04N03LB,MOS,30V,80A,0.0038Ω,220
