扬杰YJ桥式整流器KBU1010
| 价 格： | 1.55 | |
| 是否提供加工定制： | 是 | |
| 产品类型： | 桥堆 | |
| 是否进口： | 否 | |
| 品牌/商标： | YS | |
| 型号/规格： | KBU1010 | |
| 材料： | 锗(Ge) | |
| 主要参数： | 10A 1000V | |
| 用途： | 桥式整流器 | |
| 备注： | 扬杰YJ正品 |
KBU10005 THRU KBU1010
桥式整流器 Bridge Rectifier
■特征 Features ■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark
● Io 10A
● VRRM 50V~1000V
● 玻璃钝化芯片
Glass passivated chip
● 耐正向浪涌电流能力高
High surge forward current capability
■用途 Applications
● 作一般电源单相桥式整流用
General purpose 1 phase Bridge
rectifier applications
■极限值（额定值）
Limiting Values(Absolute Maximum Rating)
参数名称 KBU
Item
符号
Symbol
单位
Unit
条件
Conditions 005 01 02 04 06 08 10
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000
平均整流输出电流
Average Rectified Output
Current
IO A 60HZ 正弦波，电阻负载，Tc=55℃
60HZ sine wave, R- load, Tc=55℃ 10
正向（不重复）浪涌电流
Surge(Non-repetitive)Forward
Current
IFSM A 60HZ正弦波，一个周期，Ta=25℃
60HZ sine wave, 1 cycle, Ta=25℃ 200
正向浪涌电流的平方对电流浪
涌持续
时间的积分值
Current Squared Time
I2t A2s
1ms≤t＜8.3ms Tj=25℃,单个
二极管
1ms≤t＜8.3ms Tj=25℃,Rating of
per diode
166
存储温度
Storage Temperature
Tstg ℃ -55 ~+150
结温
Junction Temperature
Tj ℃ -55 ~+150
■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定）
Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified）
参数名称
Item
符号
Symbol
单位
Unit
测试条件
Test Condition
值
Max
正向峰值电压
Peak Forward Voltage VFM V IFM=5A,脉冲测试，单个二极管的额定值
IFM=5A, Pulse measurement, Rating of per diode 1.1
反向峰值电流
Peak Reverse Current IRRM μA
VRM=VRRM ,脉冲测试，单个二极管的额定值
VRM=VRRM , Pulse measurement, Rating of per diode 10
热阻
Thermal Resistance
RθJ-C ℃/W 结和外壳之间
Between junction and case
4.7(1)
说明（Notes）:
（1安装在铝板散热器上。
（1Units Mounted on a aluminum plate heat sink.
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UTC一级代理4A 600V MOS管4N60B
信息内容：昆山东森微电子有限公司:致力于为客户提供原装进口的集成电路 二极管 三极管 MOS管 可控硅 光耦,二十年的品质 和原厂良好的合作关系,打造电子元件代理商品牌!因本公司主要以批发为主,利润微薄,所有元件价格均以当天报价为准,欢迎电话询价和索取元件规格书! 4A, 600V N-CHANNELPOWER MOSFET DESCRIPTIONThe UTC 4N60 is a high voltage power MOSFET and isdesigned to have better characteristics, such as fast switchingtime, low gate charge, low on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usuallyused at high speed switching applications in power supplies, PWMmotor controls, high efficient DC to DC converters and bridgecircuits. FEATURES* VDS = 600V, ID = 4A* RDS(ON) = 2.5Ω @VGS = 10 V* Ultra Low Gate Charge ( typical 15 nC )* Low Reverse Transfer CAPACITANCE ( CRSS = typical 8.0 pF )* Fast Switching Capability* Avalanche Energy Specified* Improved dv/dt Capability, high Ruggedness SYMBOLTO-2511 1TO-252TO-22011TO-220F1TO-220F1TO-2621TO-2631 ORDERING INFORMA...
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