UTC一级代理4A 600V MOS管4N60B
| 价 格： | 1.20 | |
| 品牌： | UTC/友顺 | |
| 型号： | 4N60B | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | UTC一级代理,原装正品（V） | |
| 夹断电压： | UTC一级代理,原装正品（V） | |
| 跨导： | UTC一级代理,原装正品（μS） | |
| 极间电容： | UTC一级代理,原装正品（pF） | |
| 低频噪声系数： | UTC一级代理,原装正品（dB） | |
| 漏极电流： | UTC一级代理,原装正品（mA） | |
| 耗散功率： | UTC一级代理,原装正品（mW） |
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4A, 600V N-CHANNEL
POWER MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 4N60 is a high voltage power MOSFET and is
designed to have better characteristics, such as fast switching
time, low gate charge, low on-state resistance and have a high
rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually
used at high speed switching applications in power supplies, PWM
motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge
circuits.
FEATURES
* VDS = 600V, ID = 4A
* RDS(ON) = 2.5Ω @VGS = 10 V
* Ultra Low Gate Charge ( typical 15 nC )
* Low Reverse Transfer CAPACITANCE ( CRSS = typical 8.0 pF )
* Fast Switching Capability
* Avalanche Energy Specified
* Improved dv/dt Capability, high Ruggedness
SYMBOL
TO-251
1 1
TO-252
TO-220
1
1
TO-220F
1
TO-220F1
TO-262
1
TO-263
1
ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Lead Free Halogen Free
Package
1 2 3
Packing
4N60L-TA3-T 4N60G-TA3-T TO-220 G D S Tube
4N60L-TF1-T 4N60G-TF1-T TO-220F1 G D S Tube
4N60L-TF3-T 4N60G-TF3-T TO-220F G D S Tube
4N60L-TM3-T 4N60G-TM3-T TO-251 G D S Tube
4N60L-TN3-R 4N60G-TN3-R TO-252 G D S Tape Reel
4N60L-T2Q-T 4N60G-T2Q-T TO-262 G D S Tube
4N60L-TQ3-R 4N60G-TQ3-R TO-263 G D S Tape Reel
4N60L-TQ3-T 4N60G-TQ3-T TO-263 G D S Tube
- 所属城市：江苏 苏州
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TOSHIBA东芝原装进口MOS管K10A60D
信息内容：产品型号:TK10A60D 产品名称: 品牌/产地:东芝半导体公司 封装规格:TO-220SIS 产品描述:功率MOSFET (N沟 500V... 是否含铅:未知PDF分类:非IC器件 > 分立器件 > 晶体管产品参数信息: 参数名 参数值 极性 N沟 VDSS (V) 600 ID (A) 10 PD (W) 45 管脚数 3 表面安装型 N 用途 备注 数据手册:文件名:NULL文件大小:0.00 KB下载次数:36下载:
IR原装进口MOS管IRLR9343
信息内容：IR Part #RecommendedIR Part #DescriptionPartStatusReplacementTypeIRLR9343PBFIRLR9343PBFMOSFET, P-CHANNEL, -55V, -20A, 105 mOhm, 31 nC Qg, Logic Level, D-PakActiveDIRECTSpecificationsParameterValuePackage D-PakCircuit DiscreteVBRDSS (V) -55VGs Max (V) 20RDS(on) Max 4.5V (mOhms) 170.0RDS(on) Max 10V (mOhms) 105.0ID @ TC = 25C (A) -20ID @ TC = 100C (A) -14Qg Typ (nC) 31.0Qgd Typ (nC) 8.5Rth(JC) (C/W) 1.9Power Dissipation @ TC = 25C (W) 79Part Status ActiveEnvironmental Options Available PbF and LeadedPackage Class Can Surface Mount with Leads
