N-MOS IRF540NPBF IRF540N 全新原装IR公司TO-220 33A100V140
| 价 格： | 1.58 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRF540NPBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MAP/匹配对管 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | MES金属半导体 | |
| 开启电压： | 120（V） | |
| 夹断电压： | 52（V） | |
| 跨导： | 10（μS） | |
| 极间电容： | 51（pF） | |
| 低频噪声系数： | 21（dB） | |
| 漏极电流： | 5（mA） | |
| 耗散功率： | 21（mW） |
IRF540NPBF IRF540N IRF540
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ZXMN6A11GTA 场效应管ZETEX
信息内容：規格書ZXMN6A11G SERIES產品相片SOT-223-4 Pkg產品目錄繪圖SOT-223SOT-223 Footprint標準包裝1,000類別離散半導體產品家庭MOSFET，GaNFET - 單系列-FET型MOSFET N通道，金屬氧化物FET特點邏輯電平閘極開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C120 毫歐姆 @ 2.5A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)60VId時的Vgs(th)（值）1V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs5.7nC @ 10V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C3.1AVds時的輸入電容(Ciss)330pF @ 40V功率 - 2W安裝類型表面黏著式封裝/外殼SOT-223（3引線 + 接頭），SC-73，TO-261AA封裝編帶和捲軸封裝(TR)產品目錄頁面1380 (TW091-10 PDF)其他名稱ZXMN6A11GTR"
STP60NF06 STP55NF06 STP75NF75 STP85NF06 ST公司 MOS管
信息内容：数据列表STP60NF06产品相片TO-220 Pkg产品目录绘图ST Series TO-220标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列STripFET™FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 30A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs73nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1660pF @ 25V功率 - 110W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 (直引线)包装管件供应商设备封装*产品目录页面1392 (CN091-10 PDF)其它名称497-2779-5
