供应MOSFET N-CH 600V 1.6A TO-252 - AP01N60H
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AP01N60H | |
| 品牌/商标： | www.a-power.com.tw | |
| 封装形式： | TO-252 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | 小功率 |
| Part No. | AP01N60H | |
| Vds (V) | 600V | |
| Vgs (V) | ±30V | |
| Rds (On) Max (mΩ) | Vgs @ 10V | 8000 |
| Vgs @ 4.5V | ||
| Vgs @ 2.5V | ||
| Vgs @ 1.8V | ||
| Qg (nC) | 7.7 | |
| Qgs (nC) | 1.5 | |
| Qgd (nC) | 2.6 | |
| Id (A) | 1.6 | |
| Pd (W) | 39 | |
| Configuration | Single N | |
| Package | TO-252 | |
MOSFET的选择
MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。
步：选用N沟道还是P沟道
为设计选择正确器件的步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个M
要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的电压，即VDS。知道MOSFET能承受的电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。
第二步：确定额定电流
第二步是选择MOSFET的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的电流，只需直接选择能承受这个电流的器件便可。
选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOSFET并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。
技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术，其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。
在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少VDS对RDS(ON)的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如，飞兆半导体开发了称为SupereET的技术，针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要，因为当标准MOSFET的击穿电压升高时，RDS(ON)会随之呈指数级增加，并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在击穿电压达到600V的情况下，实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。
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供应湿度传感器
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信息内容：AD8139是一款超低噪声、高性能差分放大器，提供轨到轨输出。它具有低噪声、高SFDR和宽带宽特性，因而成为驱动18位分辨率ADC的理想之选。AD8139应用简便，内部共模反馈架构允许通过在一个引脚上施加电压来控制输出共模电压。内部反馈环路也可提供出色的输出平衡，并能抑制偶数阶谐波失真积。利用AD8139很容易实现完全差分和单端至差分增益配置。由四个电阻组成的简单外部反馈网络决定放大器的闭环增益。 AD8139采用ADI公司专有的第二代XFCB工艺制造，可实现低失真特性，输入电压噪声仅为2.25 nV/√Hz。 AD8139提供8引脚SOIC封装，底部有裸露焊盘(EP)，采用3 mm x 3 mm LFCSP封装，额定工作温度范围为-40°C至+125°C。 应用 18位分辨率的ADC驱动器 单端至差分转换器 差分滤波器 电平转换器 差分PCB驱动器 差分电缆驱动器 低噪声：2.25 nV/√Hz2.1 pA/√Hz 低谐波失真：98 dBc SFDR (1 MHz) 85 dBc SFDR (5 MHz) 72 dBc SFDR (20 MHz) 高速 3 dB带宽：410 MHz (G = 1) 压摆率：800 V/μs0.01%建立时间：45 ns 完全差分 69 dB输出平衡(1 MHz) 80 dB直流CMRR 低失调：±0.5 mV(值) 低输...
