原装进口拆机IR厂家 IRF1010E 60V\84A 保证是原字原脚、测试好发货、质量保证、
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大量供应三极管TO-220系列。
主营大电流场效应、达林顿、高压管、可控硅、三端稳压、TOP等系列三极管。
电动车控制器7575系列。
品牌:IDI美国国际器件 | 型号:IRF1010E | 种类:结型(JFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:L/功率放大 |
封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 开启电压:3(V) |
夹断电压:60(V) | 低频跨导:80(μS) | 极间电容:5000(pF) |
低频噪声系数:1(dB) | 漏极电流:1(mA) | 耗散功率:1(mW) |
场效应管IRF1010E,IRF1010EPBF,场效应管IRF1010E,IRF1010EPBF,场效应管IRF1010E,IRF1010EPBF,
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产品型号AOT470 源漏极间雪崩电压VBR(V):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0105 漏极电流Id(on)(A):100 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150 描述:75 V, 100A 功率MOSFET 产品型号AOT460 源漏极间雪崩电压VBR(V):60 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0075 漏极电流Id(on)(A):85 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150 描述:60V, 85A 功率MOSFET
規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - 安裝類型封裝/外殼封裝供應商設備封裝其他名稱 IRFZ48NPbF TO-220AB Pkg IR Hexfet TO-220AB 50 離散半導體產品 MOSFET,GaNFET - 單 HEXFET® MOSFET N通道,金屬氧化物 標準 14 毫歐姆 @ 32A, 10V 55V 64A 4V @ 250µA 81nC @ 10V 1970pF @ 25V 130W 通孔 TO-220-3 管裝 TO-220AB *IRFZ48NPBF ...