让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>供应散新功率三极管IRF1010

供应散新功率三极管IRF1010

价 格: 0.65
型号/规格:IRF1010
品牌/商标:IR
封装形式:TO-220
环保类别:普通型
安装方式:直插式
包装方式:散装

 

 

 

 

 

原装进口拆机IR厂家 IRF1010E 60V\84A  保证是原字原脚、测试好发货、质量保证、

 

 

电话:18923963972    13750446770

 

QQ:22217287  33023277

 

欢迎来电洽谈

 

大量供应三极管TO-220系列。

主营大电流场效应、达林顿、高压管、可控硅、三端稳压、TOP等系列三极管。

电动车控制器7575系列。

 

 

 

品牌:IDI美国国际器件 型号:IRF1010E 种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:L/功率放大
封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:3(V)
夹断电压:60(V) 低频跨导:80(μS) 极间电容:5000(pF)
低频噪声系数:1(dB) 漏极电流:1(mA) 耗散功率:1(mW)


场效应管IRF1010E,IRF1010EPBF,场效应管IRF1010E,IRF1010EPBF,场效应管IRF1010E,IRF1010EPBF,

"

 

 

智涛电子
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 汕头
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 庄先生
  • 电话:0754-84501868
  • 传真:0754-84501868
  • 手机:18923963972/13750446770
  • QQ :QQ:22217287QQ:33023277
公司相关产品

供应场效应三极管AOT470,AOT430,AOT428

信息内容:

产品型号AOT470 源漏极间雪崩电压VBR(V):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0105 漏极电流Id(on)(A):100 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150 描述:75 V, 100A 功率MOSFET 产品型号AOT460 源漏极间雪崩电压VBR(V):60 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0075 漏极电流Id(on)(A):85 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150 描述:60V, 85A 功率MOSFET

详细内容>>

供应场效应三极管IRFZ48

信息内容:

規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - 安裝類型封裝/外殼封裝供應商設備封裝其他名稱 IRFZ48NPbF TO-220AB Pkg IR Hexfet TO-220AB 50 離散半導體產品 MOSFET,GaNFET - 單 HEXFET® MOSFET N通道,金屬氧化物 標準 14 毫歐姆 @ 32A, 10V 55V 64A 4V @ 250µA 81nC @ 10V 1970pF @ 25V 130W 通孔 TO-220-3 管裝 TO-220AB *IRFZ48NPBF ...

详细内容>>

相关产品