規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - 安裝類型封裝/外殼封裝供應商設備封裝其他名稱
IRFZ48NPbF |
TO-220AB Pkg |
IR Hexfet TO-220AB |
50 |
離散半導體產品 |
MOSFET,GaNFET - 單 |
HEXFET® |
MOSFET N通道,金屬氧化物 |
標準 |
14 毫歐姆 @ 32A, 10V |
55V |
64A |
4V @ 250µA |
81nC @ 10V |
1970pF @ 25V |
130W |
通孔 |
TO-220-3 |
管裝 |
TO-220AB |
*IRFZ48NPBF |
品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFZ48VPBF,IRFZ48 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | VA/场输出级 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | MES金属半导体 |
开启电压 | -(V) | 夹断电压 | -(V) |
极间电容 | -(pF) | 低频噪声系数 | -(dB) |
漏极电流 | -(mA) | 耗散功率 | -(mW) |
产品参数: 类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单 系列 HEXFET® FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 49A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 17.5 毫欧 @ 25A,10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1470pF @ 25V 功率 - 94W 安装类型 通孔 封装 TO-220AB
大量供应三极管TO-220系列。 主营大电流场效应、达林顿、高压管、可控硅、三端稳压、TOP等系列三极管。 电动车控制器7575系列。 QQ:22217287 欢迎洽谈:18923963972 产品型号:STP80N70F4 源漏极间雪崩电压VBR(V):68 源漏极导通电阻rDS(on)(mΩ):8.2 漏极电流Id(on)(A):85 通道极性:N沟道 功率:150W 封装/温度(℃)TO-220 4/-55 ~150 描述:68 V, 85A功率MOSFET