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供应场效应三极管IRFZ48

价 格: 0.52
型号/规格:IRFZ48
品牌/商标:IR
封装形式:TO-220
环保类别:普通型
安装方式:直插式
包装方式:散装

 

 

規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - 安裝類型封裝/外殼封裝供應商設備封裝其他名稱

IRFZ48NPbF
TO-220AB Pkg
IR Hexfet TO-220AB
50
離散半導體產品
MOSFET,GaNFET - 單
HEXFET®
MOSFET N通道,金屬氧化物
標準
14 毫歐姆 @ 32A, 10V
55V
64A
4V @ 250µA
81nC @ 10V
1970pF @ 25V
130W
通孔
TO-220-3
管裝
TO-220AB
*IRFZ48NPBF

 

品牌/商标 IR 型号/规格 IRFZ48VPBF,IRFZ48
种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 增强型 用途 VA/场输出级
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 MES金属半导体
开启电压 -(V) 夹断电压 -(V)
极间电容 -(pF) 低频噪声系数 -(dB)
漏极电流 -(mA) 耗散功率 -(mW)

智涛电子
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 汕头
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 庄先生
  • 电话:0754-84501868
  • 传真:0754-84501868
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  • QQ :QQ:22217287QQ:33023277
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信息内容:

产品参数: 类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单 系列 HEXFET® FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 49A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 17.5 毫欧 @ 25A,10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1470pF @ 25V 功率 - 94W 安装类型 通孔 封装 TO-220AB

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大量供应三极管TO-220系列。 主营大电流场效应、达林顿、高压管、可控硅、三端稳压、TOP等系列三极管。 电动车控制器7575系列。 QQ:22217287 欢迎洽谈:18923963972 产品型号:STP80N70F4 源漏极间雪崩电压VBR(V):68 源漏极导通电阻rDS(on)(mΩ):8.2 漏极电流Id(on)(A):85 通道极性:N沟道 功率:150W 封装/温度(℃)TO-220 4/-55 ~150 描述:68 V, 85A功率MOSFET

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