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IHW30N160R2 英飞凌IGBT 晶体

价 格: 0.20

品牌/商标 Infineon英飞凌 型号/规格 IHW30N160R2
应用范围 放大 功率特性 小功率
频率特性 低频 极性 NPN型
结构 面接触型 材料 硅(Si)
封装形式 直插型 封装材料 塑料封装
截止频率fT 原厂(MHz) 集电极允许电流ICM 原厂(A)
集电极耗散功率PCM 312(W) 营销方式 现货
产品性质 热销



制造商:  Infineon   
 
产品种类:  IGBT 晶体管   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
集电极—发射极电压 VCEO:  1.6 KV   
 
集电极—射极饱和电压:  2.35 V   
 
栅极/发射极电压:  +/- 25 V   
 
功率耗散:  312 W   
 
工作温度:  + 175 C   
 
封装 / 箱体:  TO-247-3   
 
封装:  Tube   
 
最小工作温度:  - 40 C  
 
安装风格:  Through Hole

深圳市福田区宏诚辉电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 陈义雄
  • 电话:0755-82894329
  • 传真:0755-82894329
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信息内容:

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