产品型号AOT470
源漏极间雪崩电压VBR(V):75
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0105
漏极电流Id(on)(A):100
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150
描述:75 V, 100A 功率MOSFET
产品型号AOT460
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0075
漏极电流Id(on)(A):85
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150
描述:60V, 85A 功率MOSFET
規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - 安裝類型封裝/外殼封裝供應商設備封裝其他名稱 IRFZ48NPbF TO-220AB Pkg IR Hexfet TO-220AB 50 離散半導體產品 MOSFET,GaNFET - 單 HEXFET® MOSFET N通道,金屬氧化物 標準 14 毫歐姆 @ 32A, 10V 55V 64A 4V @ 250µA 81nC @ 10V 1970pF @ 25V 130W 通孔 TO-220-3 管裝 TO-220AB *IRFZ48NPBF ...
产品参数: 类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单 系列 HEXFET® FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 49A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 17.5 毫欧 @ 25A,10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1470pF @ 25V 功率 - 94W 安装类型 通孔 封装 TO-220AB