供应B3D090L B3D420L贴片三极管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | B3D090L | |
| 品牌/商标： | LT | |
| 封装形式： | 陶瓷封装 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 功率特性： | 小功率 | |
| 频率特性： | 高频 | |
| 极性： | | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
B3D090L
B3D150L
B3D420L
B3D470L
三端子宽频带优化微型管等离子气体过压保护器(GDT) 是专为宽频带设备开发的。独特的设计功能抑制100 伏/μS - 1 千伏伏/μS 的快速瞬变(很可能来自诱导雷电扰动) 时性能。
1) 表面安装
2) 通过IEC6
3) GHz的工作频率 C<1pF
4) 通过ITU K21 定义的10/700μs 6KV增强测试
5) 2000安培 2/10μs电涌额定值
浪拓电子技术为客户提供器件级到系统级的全方位的防雷及过压过流解决方案，
是目前国内防雷技术领域最全面的供应商。
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- 联系人： 防雷过压销售部
- 电话：0755-26334565/26415492/26565492/26460440
- 传真：0755-26572826
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供应LT-BS0060D半导体浪涌保护二极管
信息内容：型号 断态电压 转折电压 通态压降 维持电流 极间电容 VDRM V IDRM μA VS V IS mA VT V IT A IH mA CO pF MAX TYPE MAX MAX MIN MAX LT-BS0060D 5 5 25 800 4 1 50 5 SiBar半导体浪涌保护元件能够保护敏感的电信设备和数据通信设备,防止雷击瞬态电压等过电压事件造成损坏,在浪涌电压超过击穿电压时起分流的作用.当电压超过击穿电压时,SiBar半导体浪涌抑制器工作在保护特性曲线的低阻区,形成一个低阻通路,有效地降低过电压. SiBar半导体浪涌保护元件符合GR-1089 Core、ITU K.20/K.21、IEC61000-4-5、FCC第68章以及UL60950等主要标准,可以对模拟和数字线路卡,XDSL和ISDN调制解调器、机顶盒、T1设备、VoIP设备和PoE设备实现快速的双向保护. SiBar元件与能量处理等级相同的 位器件相比,具有更低导通电压和更小的体积,且电容小,适合应用于高速数据传输的电路中. ■浪拓电子技术有限公司(http://www.szlangtuo.com)是国内一家全方位,全流程提供防雷方案和器件的高科技公司.
供应气体放电管LT-B5G800L
信息内容：LT-B5G070L LT-B5G090L LT-B5G420L LT-B5G470L LT-B5G600L LT-B5G800L 二端子宽频带优化微型管等离子气体过压保护器 是浪拓电子专为宽频带设备和信号电路开发的。独特的设计功能抑制100 伏/μS - 1 千伏伏/μS 的快速瞬变时性能。 1) 通 过IEC61000-4-5定义的 5KA 8/20μs脉冲浪涌电压测试 2) 快速响应特性及高度可重复性 3) 通过ITU K21 定义的10/700μs 6KV增强测试 4) 2000安培 2/10μs电涌额定值 5) 使用寿命:额定放电电流10/1000μs条件下300次 浪拓电子所提供的气体放电管,均在电极的有效电子发射表面增加了激活化合物,电极间距小于1mm,提高电子发射能力,在重复加载电流后能保证击穿电压稳定! ■浪拓电子技术（www.szlangtuo.com）研制，生产，销售高性能陶瓷气体放电管的高科技公司.
