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供应LT-BS0060D半导体浪涌保护二极管

价 格: 面议
型号/规格:LT-BS0060D
品牌/商标:LangTuo
封装形式:SOD-323
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:卷带编带包装
功率特性:中功率
频率特性:高频
整流电流:
反向击穿电流:

 

 

型号

断态电压

转折电压

通态压降

维持电流

极间电容

VDRM

V

IDRM

μA

VS

V

IS

mA

VT

V

IT

A

IH

mA

CO

pF

 

MAX

TYPE

MAX

MAX

 

MIN

MAX

LT-BS0060D

5

5

25

800

4

1

50

5

 

SiBar半导体浪涌保护元件能够保护敏感的电信设备和数据通信设备,防止雷击瞬态电压等过电压事件造成损坏,在浪涌电压超过击穿电压时起分流的作用.当电压超过击穿电压时,SiBar半导体浪涌抑制器工作在保护特性曲线的低阻区,形成一个低阻通路,有效地降低过电压.

SiBar
半导体浪涌保护元件符合GR-1089 CoreITU K.20/K.21IEC61000-4-5FCC68章以及UL60950等主要标准,可以对模拟和数字线路卡,XDSLISDN调制解调器、机顶盒、T1设备、VoIP设备和PoE设备实现快速的双向保护
.

SiBar
元件与能量处理等级相同的 位器件相比,具有更低导通电压和更小的体积,且电容小,适合应用于高速数据传输的电路中
.

浪拓电子技术有限公司(http://www.szlangtuo.com)是国内一家全方位,全流程提供防雷方案和器件的高科技公司.


深圳市浪拓电子技术有限公司
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SLVU2.8-4 1. 能够进行两对平衡线的差模保护,即一个网口(收,发)只用一个器件; 2. 节电容很低为8pF. 3. 具有一定的通流容量,承受24A(8/20μs)冲击电流,能够满足500V的浪涌测试要求; 4. 箝位动作电压低,为3V.在冲击电流作用下残压不超过15V,能够保证网口的安全; 5. 器件封装为SO-8,占用PCB面积很小;遵循标准要求,一次性通过测试与认证,并且以太网口防雷性能达到业界,共模测试最少可以达到 4KV 。 浪拓电子技术为客户提供器件级到系统级的全方位的防雷及过压过流解决方案,是目前国内防雷技术领域最全面的供应商。 深圳市浪拓电子技术有限公司 www.szlangtuo.com

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