供应 场效应管 2N7002,2N7002K,7002,702,12W
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2N7002,SOT-23,SMD/MOS,N场,60V,0.18A,5Ω | |
| 品牌/商标： | NXP（恩智浦） | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
产品型号:2N7002
封装:SOT-23
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):0.18
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):0.3
输入电容Ciss(PF):25 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：0.2
温度(℃): -65 ~150
描述:60V,0.18A N-沟道增强型场效应晶体管
应用
移动电源
特点
直接接口的C-MOS，TTL等。
高速开关
无二次击穿。
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 2SK3018,2SK3018KN,K3018
信息内容：产品型号:2SK3018KN 封装:SOT-23 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):±0.1 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):8 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):1.5 功率PD(W):0.2 输入电容Ciss(PF):13 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：0.02 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ. 上升时间Tr(ns):35 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):80 typ. 下降时间Tf(ns):80 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,±100mA N-沟道增强型场效应晶体管 带二极保护 应用 接口，开关（30V，百毫安） 特点 1）低导通电阻。 2）快速开关速度。 3）低电压驱动（2.5V），使该设备端口能设备的理想选择。 4）易于设计的驱动电路。 5）易于并行。
供应 场效应管 2SK3688-01S,2SK3688,K3688
信息内容：产品型号:2SK3688-01S 封装:SOT-263 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):16 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.57 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):270 输入电容Ciss(PF):1590 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：13 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):242.7 导通延迟时间Td(on)(ns):29 typ. 上升时间Tr(ns):16 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):58 typ. 下降时间Tf(ns):8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,16A N-沟道增强型场效应晶体管
