供应 场效应管 2SK3688-01S,2SK3688,K3688
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK3688-01S,SOT-263,SMD/MOS,N场,600V,16A,0.57Ω | |
| 品牌/商标： | FUJITSU(富士通) | |
| 封装形式： | SOT-263 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 1000/盘 |
产品型号:2SK3688-01S
封装:SOT-263
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):16
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.57 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):270
输入电容Ciss(PF):1590 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：13
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):242.7
导通延迟时间Td(on)(ns):29 typ.
上升时间Tr(ns):16 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):58 typ.
下降时间Tf(ns):8 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,16A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AOTF12N60L,AOTF12N60,12N60
信息内容：产品型号:AOTF12N60L 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):12 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.55 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):1751 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：20 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):450 导通延迟时间Td(on)(ns):39 typ. 上升时间Tr(ns):70 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):122 typ. 下降时间Tf(ns):74 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 TPCA8057-H,TPCA8057
信息内容：产品型号:TPCA8057-H 封装:PSOP-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):42 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0026 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.3 功率PD(W):57 输入电容Ciss(PF):4300 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：2.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):229 导通延迟时间Td(on)(ns):14 typ. 上升时间Tr(ns):4.3 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):52 typ. 下降时间Tf(ns):6.3 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,42A N-沟道增强型场效应晶体管
