供应 场效应管 AOTF12N60L,AOTF12N60,12N60
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AOTF12N60L,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,12A,0.55Ω | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:AOTF12N60L
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):12
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.55 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):1751 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：20
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):450
导通延迟时间Td(on)(ns):39 typ.
上升时间Tr(ns):70 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):122 typ.
下降时间Tf(ns):74 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TPCA8057-H,TPCA8057
信息内容：产品型号:TPCA8057-H 封装:PSOP-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):42 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0026 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.3 功率PD(W):57 输入电容Ciss(PF):4300 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：2.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):229 导通延迟时间Td(on)(ns):14 typ. 上升时间Tr(ns):4.3 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):52 typ. 下降时间Tf(ns):6.3 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,42A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 三极管 KSE13005F2,KSE13005F1,F13005F2
信息内容：产品型号:KSE13005F 封装:TO-220F 极性:NPN 描述:400V 4A NPN硅晶体管 高电压开关模式应用 .高速开关 .适用于开关稳压器和电机控制 dzsc/18/8361/18836184.jpg 深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon,FAIRCHILD,ST,IR, SANYO, TOSHIBA,FUJI等国际品牌，经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，主要应用于开关电源（如充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯、HID灯系列等）、电池保护、机顶盒、电脑主板、显卡、液晶、玩具遥控飞机、遥控船等。 深圳市金城微零件有限公司在半导体行业中独具特色，一如既往以 “卓越品质、优质服务”为宗旨，将成为更多品牌的代理商，把促进行业进步作为公司的企业责任，努力成为半导体行业的推动者。我们本着以“创优势，求发展”的概念，诚意欢迎各位同行、有志之仕加入合作，共创新优势。 代理场效应管(2N60 4N60 7N60 5N60 75N75 3205 830等),快恢复，肖特基
