品牌 | TOS日本东芝 | 型号 | K2640 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |
品牌 进口 型号 K2793 应用范围 开关 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 0(V) 集电极允许电流ICM 1(A) 集电极耗散功率PCM 1(W) 截止频率fT 1(MHz) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装
品牌 进口 型号 K2350 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 0(V) 集电极允许电流ICM 1(A) 集电极耗散功率PCM 1(W) 截止频率fT 1(MHz) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装