供应 场效应管 2SK3018,2SK3018KN,K3018
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK3018KN,SOT-23,SMD/MOS,N场,30V,0.1A,8Ω | |
| 品牌/商标： | 中性 | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
产品型号:2SK3018KN
封装:SOT-23
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):±0.1
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):8 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):1.5
功率PD(W):0.2
输入电容Ciss(PF):13 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：0.02
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.
上升时间Tr(ns):35 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):80 typ.
下降时间Tf(ns):80 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,±100mA N-沟道增强型场效应晶体管 带二极保护
应用
接口，开关（30V，百毫安）
特点
1）低导通电阻。
2）快速开关速度。
3）低电压驱动（2.5V），使该设备端口能设备的理想选择。
4）易于设计的驱动电路。
5）易于并行。
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 2SK3688-01S,2SK3688,K3688
信息内容：产品型号:2SK3688-01S 封装:SOT-263 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):16 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.57 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):270 输入电容Ciss(PF):1590 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：13 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):242.7 导通延迟时间Td(on)(ns):29 typ. 上升时间Tr(ns):16 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):58 typ. 下降时间Tf(ns):8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,16A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 AOTF12N60L,AOTF12N60,12N60
信息内容：产品型号:AOTF12N60L 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):12 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.55 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):1751 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：20 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):450 导通延迟时间Td(on)(ns):39 typ. 上升时间Tr(ns):70 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):122 typ. 下降时间Tf(ns):74 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
