供应 场效应管 SI2311,2311,SI2329DS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SI2311,SOT-23,-8V,-6A | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
产品型号:SI2311
封装:SOT-23
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-8
夹断电压VGS(V):±8
漏极电流Id(A):-3A
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.045 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-0.8
功率PD(W):0.71
输入电容Ciss(PF):970 typ.
通道极性:p沟道
导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ.
上升时间Tr(ns):45 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ.
下降时间Tf(ns):45 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:-8V,-3A P-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 SI2308DS,SI2310,Si2308
信息内容：产品型号:SI2308DS 封装:SOT-23 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):2 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.16 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):1.25 输入电容Ciss(PF):240 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4.6 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):7 typ. 上升时间Tr(ns):10 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):17 typ. 下降时间Tf(ns):6 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:60V,2A N-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 AO3434,AO3434A,AO3438
信息内容：AO3434(带二极静电保护） N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3434 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected.Standard Product AO3434 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). Features VDS(V) = 30V ID = 4.2A (VGS= 10V) RDS(ON) < 52m Ω (VGS = 10V) RDS(ON) < 75mΩ (VGS= 4.5V) AO3438 N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeatures VDS= 20V ID = 3A (VGS= 4.5V) RDS(ON) < 62mΩ (VGS = 4.5V) RDS(ON) < 70mΩ (VGS= 2.5V) RDS(ON) < 85mΩ (VGS= 1.8V)
