供应 场效应管 TK13A50D,TK13A50,K13A50D
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK13A50D | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 |
产品型号:TK13A50D
封装:TO-220F
标记:K13A50D
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):13
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.4 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):1800 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：7.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):390
导通延迟时间Td(on)(ns):80 typ.
上升时间Tr(ns):40 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):110 typ.
下降时间Tf(ns):15 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,13A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 TK6A65,TK6A65D,K6A65D
信息内容：产品型号:TK6A65D 封装:TO-220F 标记:K6A65D 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.11 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):1050 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):281 导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ. 上升时间Tr(ns):25 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ. 下降时间Tf(ns):10 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:650V,6A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications
供应 场效应管 TK8A65D,TK8A65,K8A65D
信息内容：产品型号:TK8A65D 封装:TO-220F 标记:K8A65D 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.84 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):1350 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):416 导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ. 上升时间Tr(ns):22 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ. 下降时间Tf(ns):15 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:650V,8A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications
