供应 场效应管 BSC018N04,018N04LS,BSC018N04LSG
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC018N04LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,40V,100A,0.0018Ω. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
BSC018N04LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,40V,100A,0.0018Ω
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 40 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 100 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 400 | A |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=50A, RGS=25Ω | 295 | mJ |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 125 | W |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=85µA | 2 | V |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=50A | 1.8 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz | 8900 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A | 180 | S |
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC123N08NS3G,123N08NS，BSC123N08
信息内容：产品型号:BSC123N08NS3G 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):135 漏极电流Id(A):100 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0025 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.2 功率PD(W):83 极间电容Ciss(PF):4600 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：110 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,100A N-channel OptiMOS Power-MOSFET Features ? Fast switching MOSFET for SMPS ? Optimized technology for DC/DC converters ? Qualified according to JEDEC for target applications ? N-channel ? Logic level ? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) ? Very low on-resistance RDS(on) ? Superior thermal resistance ? Avalanche rated ? Pb-free plating; RoHS compliant (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 CEP83A3,CMP83A3,83A3
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEP83A3 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):100 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0053 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):100 极间电容Ciss(PF):9500 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~175 描述:30V, 150A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
