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2SK3078晶体管/TOS高频功率MOSFET

价 格: 1111.00

品牌:TOSHIBA东芝 型号:2SK3078 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:PNP型 击穿电压VCBO:10(V) 集电极允许电流ICM:0.5(A) 集电极耗散功率PCM:1(W) 截止频率fT:0(MHz) 结构:面接触型 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装

属性
属性条件
部件型号2SK3078A
极性N沟
用途FRS/GMRS(470MHz)
漏源电压VDSS@Tc=25°C10 V
泄漏电流ID@Tc=25°C500 mA
功耗PD@Tc=25°C, max3 W
输出功率PO(最小)0.63WVDD= 4.5 V, f = 470 MHz, Pi = 0.1 W, Tc=25°C
封装PW-Mini(4.6 x 4.2)
管脚数3
产品分类RF功率MOSFET
RoHS Compatible Product(s) (#)Available

深圳市钜腾电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 孔维年
  • 电话:755-83260808
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