供应8N60 高压MOS管
| 价 格： | 25000.00 |
品牌:silan 型号:8N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2.0（V） 夹断电压:4.0（V） 极间电容:1095（pF） 漏极电流:8A（mA） 耗散功率:147W（mW）
8A、600V N沟道增强型场效应管
| dzsc/18/2174/18217464.jpg | 电压 | dzsc/18/2174/18217464.jpg |
| 600V | ||
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| dzsc/18/2174/18217464.jpg | 产品名称 | dzsc/18/2174/18217464.jpg |
| SVD8N60 | ||
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| dzsc/18/2174/18217464.jpg | 参数ID | dzsc/18/2174/18217464.jpg |
| 8A | ||
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| dzsc/18/2174/18217464.jpg | 参数RDSON(MAX) | dzsc/18/2174/18217464.jpg |
| 1.2Ω | ||
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| dzsc/18/2174/18217464.jpg | 封装 | dzsc/18/2174/18217464.jpg |
| TO-220F-3L;TO-220-3L | ||
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描述
SVD8N60T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
特点
∗ 8A，600V，RDS(on)(典型值)=0.96Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
封装形式:
SVD8N60T TO-220-3L
SVD8N60F TO-220F-3L
- 所属城市：浙江 杭州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 郑美芳
- 电话：571-87550591
- 传真：571-87550591
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供应4N65 高压MOS管
信息内容：品牌:silan 型号:SVD4N65 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2（V） 夹断电压:4（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:4A（mA） 耗散功率:100W（mW）dzsc/18/2174/18217467.jpg电压dzsc/18/2174/18217467.jpg 650V dzsc/18/2174/18217467.jpg dzsc/18/2174/18217467.jpgdzsc/18/2174/18217467.jpg产品名称dzsc/18/2174/18217467.jpg SVD4N65 dzsc/18/2174/18217467.jpg dzsc/18/2174/18217467.jpgdzsc/18/2174/18217467.jpg参数IDdzsc/18/2174/18217467.jpg 4A dzsc/18/2174/18217467.jpg dzsc/18/2174/18217467.jpgdzsc/18/2174/18217467.jpg参数RDSON(MAX)dzsc/18/2174/18217467.jpg 3.0Ω dzsc/18/2174/18217467.jpg dzsc/18/2174/18217467.jpgdzsc/18/2174/18217467.jpg封装dzsc/18/2174/18217467.jpg TO-220-3L; TO-220F-3L; TO-251-3L dzsc/18/2174/18217467.jpg 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。特点∗ 4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.3Ω@VGS=10V∗ 低栅极电...
供应2N60 高压MOS管
信息内容：品牌:SILAN 型号:SVD2N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2（V） 夹断电压:4（V） 极间电容:320（pF） 漏极电流:2A（mA） 耗散功率:23W（mW）dzsc/18/2279/18227988.jpg电压dzsc/18/2279/18227988.jpg 600V dzsc/18/2279/18227988.jpg 产品名称dzsc/18/2279/18227988.jpg SVD2N60 dzsc/18/2279/18227988.jpg dzsc/18/2279/18227988.jpgdzsc/18/2279/18227988.jpg参数IDdzsc/18/2279/18227988.jpg 2A dzsc/18/2279/18227988.jpg dzsc/18/2279/18227988.jpgdzsc/18/2279/18227988.jpg参数RDSON(MAX)dzsc/18/2279/18227988.jpg 4.6Ω dzsc/18/2279/18227988.jpg dzsc/18/2279/18227988.jpgdzsc/18/2279/18227988.jpg封装dzsc/18/2279/18227988.jpg TO-251-3L;TO-252-2L;TO-220-3L;TO-220F-3L SVD2N60M/F/T/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动...
