供应2N60 高压MOS管
| 价 格： | 25000.00 |
品牌:SILAN 型号:SVD2N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2（V） 夹断电压:4（V） 极间电容:320（pF） 漏极电流:2A（mA） 耗散功率:23W（mW）
| dzsc/18/2279/18227988.jpg | 电压 | dzsc/18/2279/18227988.jpg |
| 600V | ||
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| 产品名称 | dzsc/18/2279/18227988.jpg | |
| SVD2N60 | ||
| dzsc/18/2279/18227988.jpg | dzsc/18/2279/18227988.jpg |
| dzsc/18/2279/18227988.jpg | 参数ID | dzsc/18/2279/18227988.jpg |
| 2A | ||
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| dzsc/18/2279/18227988.jpg | 参数RDSON(MAX) | dzsc/18/2279/18227988.jpg |
| 4.6Ω | ||
| dzsc/18/2279/18227988.jpg | dzsc/18/2279/18227988.jpg |
| dzsc/18/2279/18227988.jpg | 封装 | dzsc/18/2279/18227988.jpg |
| TO-251-3L;TO-252-2L;TO-220-3L;TO-220F-3L SVD2N60M/F/T/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。 特点 ∗ 2A，600V，RDS(on)(典型值)=4.0Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了dv/dt 能力封装形式:SVD2N60M TO-251-3L SVD2N60F TO-220F-3L SVD2N60T TO-220-3L SVD2N60D TO-252-2L SVD2N60DTR TO-252-2L编带 | ||
| dzsc/18/2279/18227988.jpg |
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现货供应SVD4N65F高压MOS管
信息内容：品牌:silan 型号:SVD4N65 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2（V） 夹断电压:4（V） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:4A（mA） 耗散功率:100W（mW）dzsc/18/2442/18244211.jpg电压dzsc/18/2442/18244211.jpg 650V dzsc/18/2442/18244211.jpg dzsc/18/2442/18244211.jpgdzsc/18/2442/18244211.jpg产品名称dzsc/18/2442/18244211.jpg SVD4N65 dzsc/18/2442/18244211.jpg dzsc/18/2442/18244211.jpgdzsc/18/2442/18244211.jpg参数IDdzsc/18/2442/18244211.jpg 4A dzsc/18/2442/18244211.jpg dzsc/18/2442/18244211.jpgdzsc/18/2442/18244211.jpg参数RDSON(MAX)dzsc/18/2442/18244211.jpg 2.4Ω dzsc/18/2442/18244211.jpg dzsc/18/2442/18244211.jpgdzsc/18/2442/18244211.jpg封装dzsc/18/2442/18244211.jpg TO-252-2L;TO-220F-3L;TO-220-3L该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。特点∗ 4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.0Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快&lo...
优势现货供应SVD12N65F 高压MOS管
信息内容：品牌:silan 型号:SVD12N65F 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2（V） 夹断电压:4（V） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:4A（mA） 耗散功率:100W（mW）dzsc/18/2442/18244212.jpg电压dzsc/18/2442/18244212.jpg 650V dzsc/18/2442/18244212.jpg dzsc/18/2442/18244212.jpgdzsc/18/2442/18244212.jpg产品名称dzsc/18/2442/18244212.jpg SVD12N65 dzsc/18/2442/18244212.jpg dzsc/18/2442/18244212.jpgdzsc/18/2442/18244212.jpg参数IDdzsc/18/2442/18244212.jpg 12A dzsc/18/2442/18244212.jpg dzsc/18/2442/18244212.jpgdzsc/18/2442/18244212.jpg参数RDSON(MAX)dzsc/18/2442/18244212.jpg 3.0Ω dzsc/18/2442/18244212.jpg dzsc/18/2442/18244212.jpgdzsc/18/2442/18244212.jpg封装dzsc/18/2442/18244212.jpg TO-220-3L; TO-220F-3L dzsc/18/2442/18244212.jpg 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。特点∗ 12A，650V，RDS(on)（典型值）=2.3Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容...
